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晶体管
STFH18N60M2参考图片

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STFH18N60M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
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数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.2943
5147.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
255 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STFH18N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
920
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，STFH18N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC857CQAZ
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500:¥6.7461
2,500:¥4.7234
10,000:查看
参考库存:2423
TK14N65W5,S1F
Toshiba
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MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥24.4306
参考库存:24037
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