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晶体管
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IRFIB41N15DPBF

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数量单价合计
1
¥19.7524
19.7524
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
1,000
¥9.6841
9684.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
41 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
63 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001572654
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRFIB41N15DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC860C,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:33750
VRF157FL
Microsemi
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,207.229
2:¥2,154.1303
5:¥2,122.6259
10:¥2,092.5792
参考库存:2167
MMDT4124-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 200mW
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:47039
PSMN6R5-80BS,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
800:¥6.441
参考库存:25601
IPD60R1K5CEAUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
2,500:¥1.6159
参考库存:101023
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