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晶体管
NST856BF3T5G参考图片

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NST856BF3T5G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
8,000
¥0.43053
3444.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-1123-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
65 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST856BF3T5G
直流电流增益 hFE 最大值
220 at 2 mA, 5 V
高度
0.37 mm
长度
0.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
220 at 2 mA, 5 V
Pd-功率耗散
347 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NST856BF3T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK9M156-100E/MLFPAK/REEL 7" Q
1:¥3.842
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
1,500:¥1.2656
参考库存:2137
晶体管
MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥2.9154
10:¥2.1922
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
参考库存:18489
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.2152
10:¥9.0626
100:¥7.4128
500:¥5.7969
3,000:¥4.2149
6,000:查看
参考库存:124206
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.06785
参考库存:168308
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
2,500:¥5.1076
参考库存:21920
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