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产品分类

晶体管

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MRF6S20010NR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
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数量单价合计
1
¥297.4499
297.4499
5
¥282.387
1411.935
10
¥277.5506
2775.506
25
¥251.5719
6289.2975
500
¥214.6096
107304.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
系列
MRF6S20010N
宽度
6.15 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
零件号别名
935313769528
单位重量
529.550 mg
商品其它信息
优势价格,MRF6S20010NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
1:¥62.6246
10:¥56.3192
25:¥51.3246
100:¥46.33
3,000:¥32.4988
参考库存:2772
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 80V 7.5 MOHM
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6331
500:¥5.8647
3,000:¥4.1019
9,000:查看
参考库存:23774
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.370 Ohm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2207
2,500:¥5.0511
10,000:查看
参考库存:50921
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:46028
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥13.5261
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
4,000:¥5.989
8,000:查看
参考库存:21480
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