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晶体管
NSBC124XPDXV6T1G参考图片

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NSBC124XPDXV6T1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual NPN
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
4,000
¥0.71416
2856.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
0.46
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
357 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DTC124XP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
宽度
1.2 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,NSBC124XPDXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SuperFET2 600V Slow version
1:¥28.5099
10:¥24.2046
100:¥20.9728
250:¥19.8993
参考库存:4205
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥15.142
10:¥12.8368
100:¥10.2152
250:¥10.2152
500:¥8.9157
参考库存:8962
晶体管
MOSFET LOW POWER_LEGACY
1:¥6.6896
10:¥5.5822
100:¥3.6047
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:89454
晶体管
MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
3,000:¥1.7176
6,000:查看
参考库存:22486
晶体管
MOSFET 30V N-Channel Trench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:77688
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