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晶体管
TSM080N03PQ56 RLG参考图片

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TSM080N03PQ56 RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 30V, 73A, Single N- Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥5.4579
5.4579
10
¥4.6104
46.104
100
¥3.4465
344.65
500
¥2.5312
1265.6
2,500
¥1.7289
4322.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
41
下降时间
8.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27.6 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIS606BDN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥11.526
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:32538
DTA143EETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:13405
HN1B01F-Y(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.07576
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.61472
参考库存:10817
SI5476DU-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
3,000:¥4.3844
参考库存:40599
DMN3009SK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5368
参考库存:28931
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