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晶体管
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BD241C

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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Pwr Transistors
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库存:23,137(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5821
35.821
100
¥2.1809
218.09
1,000
¥1.695
1695
2,000
¥1.4464
2892.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
最大直流电集电极电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD241C
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
9.15 mm (Max)
长度
10.4 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.6 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,BD241C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
1:¥25.7414
10:¥21.8994
100:¥18.984
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:3672
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥799.6784
5:¥784.9997
10:¥749.6533
25:¥724.6803
参考库存:2939
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
1:¥21.0519
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
参考库存:5481
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:26158
晶体管
MOSFET TO-leadless MV7 80V
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.4306
250:¥23.1311
2,000:¥16.5997
4,000:查看
参考库存:13080
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