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晶体管
BSZ060NE2LSATMA1参考图片

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BSZ060NE2LSATMA1

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数量单价合计
1
¥5.537
5.537
10
¥4.6217
46.217
100
¥2.9832
298.32
1,000
¥2.3843
2384.3
5,000
¥2.0114
10057
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
34 S
下降时间
1.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
零件号别名
BSZ060NE2LS BSZ6NE2LSXT SP000776122
单位重量
35.300 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ060NE2LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
1:¥6.4523
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
4,000:¥2.5877
8,000:查看
参考库存:306762
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:233884
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:8086
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥7.7631
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:16393
晶体管
IGBT 模块 PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
1:¥595.0467
5:¥584.1422
10:¥569.0793
25:¥557.8584
参考库存:4035
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