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晶体管
IPA60R190P6参考图片

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IPA60R190P6

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库存:12,026(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.2099
172.099
100
¥13.7521
1375.21
500
¥12.0684
6034.2
1,000
¥9.9892
9989.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
190 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPA60R190P6XKSA1 SP001017080
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA60R190P6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 120V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:8180
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
10,000:¥0.52997
20,000:查看
参考库存:26090
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN 30V
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:1085687
晶体管
MOSFET 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
3,000:¥6.0907
6,000:查看
参考库存:26097
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.039 Ohm typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥91.1345
10:¥83.8347
25:¥80.3769
100:¥70.7719
参考库存:6194
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