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晶体管
STB28N60M2参考图片

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STB28N60M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
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数量单价合计
1
¥33.2672
33.2672
10
¥28.2726
282.726
100
¥24.5097
2450.97
250
¥23.278
5819.5
1,000
¥17.5941
17594.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB28N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.2 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
14.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB28N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG1023UV-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET P-CHANNEL
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:140596
IRF640SPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
1:¥14.9047
10:¥12.2153
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:15278
DMN26D0UDJ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:313145
PBSS4021NT,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BISS Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:118957
DMP3098LQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:134809
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