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晶体管
SIHP22N60E-GE3参考图片

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SIHP22N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥35.5046
35.5046
10
¥31.7304
317.304
100
¥26.2047
2620.47
250
¥23.278
5819.5
500
¥21.4361
10718.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHP22N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLIZ34GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:10402
BC847BPN,165
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:173194
2N3903
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.3844
10:¥3.6612
100:¥2.3052
1,000:¥1.7289
参考库存:18586
DTD113ZUT106
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双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
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DMR935E10R
Panasonic
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor
1:¥4.4522
10:¥2.9606
100:¥1.8419
500:¥1.6498
8,000:¥1.03734
参考库存:44580
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