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晶体管
FJA4313RTU参考图片

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FJA4313RTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Silicon Transistor
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库存：6,170(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.8257
16.8257
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.4469
1144.69
500
¥10.0683
5034.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
250 V
集电极—基极电压 VCBO
250 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
17 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJA4313
直流电流增益 hFE 最大值
160
高度
18.9 mm (Max)
长度
15.8 mm (Max)
宽度
5 mm (Max)
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
55
Pd-功率耗散
130 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
450
子类别
Transistors
零件号别名
FJA4313RTU_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，FJA4313RTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP110N20NAXK
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
1:¥56.7034
10:¥51.2568
25:¥48.8725
100:¥42.4202
参考库存:4480
FDD3510H
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
1:¥8.1473
10:¥6.9269
100:¥5.3223
500:¥4.7008
2,500:¥3.2996
10,000:查看
参考库存:13062
2SA1941-O(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
1:¥13.1419
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
参考库存:13509
TK90S06N1L,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK
1:¥15.5262
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
2,000:¥6.7461
4,000:查看
参考库存:12426
DMP4047LFDE-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:51418
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