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晶体管
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TGF2965-SM

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
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数量单价合计
1
¥345.78
345.78
25
¥307.36
7684
100
¥268.94
26894
250
¥245.888
61472
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
600 mA
输出功率
6 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
7.5 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Tray
配置
Single
工作频率
30 MHz to 3 GHz
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
-
零件号别名
1123170
单位重量
57.100 mg
商品其它信息
优势价格，TGF2965-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCW61AE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:37544
BCX70JE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:37549
FD400R33KF2C
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 3300V 400A CHOPPER
1:¥8,245.4744
5:¥8,113.6938
参考库存:37554
SMP4339
InterFET
晶体管
JFET N-Channel Silicon JFET
770:¥8.8366
1,000:¥7.2659
2,500:¥6.5201
10,000:¥6.2715
参考库存:37559
BSP 61 H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:37564
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