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晶体管
PHE13003C,412参考图片

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PHE13003C,412

  • WeEn Semiconductors
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Silicon diffused power transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.147
21.47
100
¥1.02152
102.152
1,000
¥0.78422
784.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
25
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
零件号别名
934063922412
单位重量
217 mg
商品其它信息
优势价格,PHE13003C,412的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥7.91
500:¥6.8026
3,000:¥5.0172
6,000:查看
参考库存:4748
晶体管
MOSFET 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
3,000:¥24.973
参考库存:58435
晶体管
MOSFET N-CHAN80V 50A
1:¥8.1473
10:¥6.9495
100:¥5.3336
500:¥4.7121
参考库存:4612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45V 1MA
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:15919
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:322696
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