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晶体管
IRG4RC10SDPBF参考图片

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IRG4RC10SDPBF

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) COPACK IGBT
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数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.7631
7763.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
14 A
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001545958
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,IRG4RC10SDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥6.5314
10:¥5.2319
100:¥3.9776
500:¥3.277
1,000:¥2.6329
3,000:¥2.3843
参考库存:11891
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 9mOhm 39nC
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.232
500:¥6.3958
1,000:¥5.0511
4,000:¥5.0511
参考库存:5983
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 20MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:178145
晶体管
MOSFET N-CH 25 V 4.5 mOhms LOGIC LEVEL MOSFET
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
1,500:¥1.7402
参考库存:8432
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥21.6734
10:¥17.9783
100:¥13.9894
500:¥12.2153
参考库存:5359
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