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晶体管
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IPP17N25S3100AKSA1

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数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
IPP17N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
IPP17N25S3-100 SP001025116
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP17N25S3100AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥30.4309
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2892
1,700:¥15.2889
3,400:查看
参考库存:1260
RTL030P02TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET P-CH 20V 3A
1:¥5.3788
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.3052
3,000:¥1.9436
参考库存:5047
2SA1552T-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥5.6048
10:¥4.6556
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
参考库存:2324
BSC010NE2LSI
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
5,000:¥6.2715
参考库存:28761
STGWA50M65DF2
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥30.0467
10:¥25.5832
100:¥22.1254
250:¥20.9728
参考库存:1258
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