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晶体管
FDD6N20TM参考图片

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FDD6N20TM

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库存:4,267(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.7912
47.912
100
¥3.0962
309.62
1,000
¥2.4747
2474.7
2,500
¥2.2261
5565.25
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6N20TM
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
12.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8.3 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD6N20TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
3,000:¥1.1413
6,000:查看
参考库存:51387
晶体管
MOSFET Dual 20V N-CH Pwr MOSFETs
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5087
500:¥3.9889
2,500:¥2.8024
10,000:查看
参考库存:16214
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.051
1,000:¥2.4408
3,000:¥2.0566
参考库存:22546
晶体管
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:3408
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.0627
参考库存:8440
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