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晶体管
ALD212900PAL参考图片

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ALD212900PAL

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数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥36.1148
361.148
25
¥32.4988
812.47
50
¥31.6626
1583.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
79 mA
Rds On-漏源导通电阻
14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
20 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Depletion
封装
Tube
系列
ALD212900P
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,ALD212900PAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
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10,000:¥1.2543
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2,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
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1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
2,500:¥0.87575
10,000:¥0.81473
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晶体管
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1:¥26.9731
10:¥21.6734
100:¥17.8314
500:¥15.9782
参考库存:45951
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