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晶体管
RM150N60HD-T参考图片

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RM150N60HD-T

  • Rectron
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  • MOSFET D2-PAK MOSFET
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数量单价合计
1,600
¥6.328
10124.8
2,400
¥5.4353
13044.72
4,800
¥4.9607
23811.36
9,600
¥4.5313
43500.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
163 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
220 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
91 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格,RM150N60HD-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SW 200MA 40V
1:¥0.92208
10:¥0.81473
100:¥0.29154
1,000:¥0.1921
3,000:¥0.14577
参考库存:698097
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:34704
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VOLT TRAN
1:¥3.2318
10:¥2.3165
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
3,000:¥0.69947
参考库存:1416
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN,0.5A,80V GenPur
1:¥3.6838
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.58421
参考库存:14588
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
1,000:¥16.2155
参考库存:46800
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