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晶体管
IPW65R045C7FKSA1参考图片

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IPW65R045C7FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
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库存:8,221(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥81.4504
81.4504
10
¥74.919
749.19
25
¥71.7663
1794.1575
100
¥63.2348
6323.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
93 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
82 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPW65R045C7 SP000929412
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R045C7FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
1:¥46.2622
10:¥41.7987
50:¥39.8777
100:¥34.6571
参考库存:5486
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥31.1202
10:¥26.4307
100:¥22.8938
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:7348
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7741
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:4695
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60V 4.5A
1:¥5.6048
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
参考库存:70397
晶体管
MOSFET MOSFET, 40V, 118A, 3 62 nC Qg, TO-220AB
1:¥11.9893
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1416
1,000:¥5.9212
参考库存:9354
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