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晶体管
DDTA115EUA-7-F参考图片

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DDTA115EUA-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K100K
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数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.243
12.43
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.35369
353.69
3,000
¥0.27685
830.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
100 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
82
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTA115
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
82
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DDTA115EUA-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
1:¥4.1471
10:¥3.0623
100:¥1.921
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:67205
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP/NPN 50V 100MA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:52797
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 100V NPN
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
2,000:¥0.59212
参考库存:60719
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DGTL NPN 50V 100MA
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:167731
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.6724
参考库存:28988
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