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晶体管
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IRFP250MPBF

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库存:74,106(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.673
13.673
10
¥11.6051
116.051
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
1,000
¥6.7574
6757.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
82 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SP001566168
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRFP250MPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP
1:¥3.2318
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2769
3,000:¥1.08367
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1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:43549
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥1.8645
2,000:¥1.8645
参考库存:18271
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -150V
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,500:¥1.05316
参考库存:30833
晶体管
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1:¥7.3789
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
1,000:¥3.5143
2,500:¥3.0736
参考库存:17780
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