| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
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1:¥2,121.1682
5:¥2,088.5903
10:¥2,057.4701
25:¥2,013.0498
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参考库存:49114
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
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50:¥3,714.6716
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参考库存:49069
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥768.7842
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参考库存:49030
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,132.5425
5:¥1,107.2644
10:¥1,084.6757
25:¥1,068.6184
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参考库存:48920
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
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500:¥682.1132
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参考库存:48905
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
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250:¥811.9728
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参考库存:48885
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥693.4019
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参考库存:48808
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥654.5186
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参考库存:48788
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 60W OM780-2
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250:¥738.5115
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参考库存:48684
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
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250:¥714.838
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参考库存:48599
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:48493
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
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150:¥1,174.2734
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参考库存:48478
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:48384
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
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250:¥631.1615
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参考库存:48272
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,118.4853
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参考库存:48079
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13
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50:¥3,786.4492
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参考库存:48042
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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150:¥1,073.6808
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参考库存:47938
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V
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250:¥847.5452
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参考库存:47856
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
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250:¥700.0124
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参考库存:47689
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS
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50:¥4,410.9211
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参考库存:47667
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