图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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250:¥830.3353
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参考库存:52997
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,033.1929
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参考库存:52915
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥773.6206
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参考库存:52827
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,128.2372 5:¥1,103.0382 10:¥1,080.5286 25:¥1,064.5391
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参考库存:52822
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S
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150:¥2,672.5743
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参考库存:52807
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:52510
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:52458
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD250N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥709.1541
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参考库存:52406
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥1,983.0144
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参考库存:52317
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,358.9154 5:¥1,328.5636 10:¥1,301.4436 25:¥1,282.1545
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参考库存:52203
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
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250:¥775.9258
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参考库存:52010
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V
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250:¥1,181.7992
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参考库存:51986
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S165-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥637.772
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参考库存:51927
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4
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500:¥451.2768
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参考库存:51902
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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50:¥733.9802 100:¥682.6443
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参考库存:51835
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT23H160-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥705.3912
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参考库存:51808
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥658.903 5:¥646.0662 10:¥624.7883 25:¥598.3576 250:¥536.5014
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参考库存:51793
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:51766
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:51589
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4
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500:¥382.1999
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参考库存:51506
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