| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
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250:¥892.8808
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参考库存:50636
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥773.7788
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参考库存:50534
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H
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150:¥1,073.6808
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参考库存:50010
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFG24S100H/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
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50:¥2,575.1344
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参考库存:49507
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V
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250:¥1,475.6331
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参考库存:48794
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
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1:¥599.7362
5:¥582.289
10:¥569.7686
25:¥545.8691
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参考库存:48269
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
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500:¥312.8179
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参考库存:47157
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS
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150:¥1,073.6808
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参考库存:48235
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
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50:¥4,403.7004
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参考库存:48022
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,033.1929
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参考库存:48015
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥295.2238
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参考库存:47995
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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150:¥851.6923
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参考库存:47866
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312GS/CFM4///REEL 13
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50:¥4,089.0406
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参考库存:47821
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥654.5186
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参考库存:47809
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S
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150:¥1,030.3453
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参考库存:47676
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:47629
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 300 W CW 50 V
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1:¥513.7545
5:¥498.7707
10:¥488.0922
25:¥467.5714
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参考库存:47594
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:47542
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥693.4019
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参考库存:47408
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
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250:¥714.838
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参考库存:47373
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