| 图片 | 型号 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V
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150:¥1,033.5771
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参考库存:43786
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS
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150:¥1,030.3453
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参考库存:43741
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:43704
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W
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250:¥774.6263
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参考库存:43699
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥841.7822
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参考库存:43675
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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250:¥864.9133
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参考库存:43665
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S
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150:¥2,672.5743
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参考库存:43492
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500:¥2,127.3945
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参考库存:43232
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V
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250:¥636.1561
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参考库存:43205
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥768.7842
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参考库存:43143
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,872.3518
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参考库存:43074
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT23H160-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥705.3912
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参考库存:43039
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
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50:¥4,073.6726
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参考库存:43002
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
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250:¥775.9258
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参考库存:42925
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,497.0014
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参考库存:42843
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L
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150:¥732.127
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参考库存:42806
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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150:¥882.5865
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参考库存:42784
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
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250:¥1,072.3022
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参考库存:42556
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:42470
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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250:¥830.3353
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参考库存:42450
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