图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 50W
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暂无价格
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参考库存:36238
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,036.2665
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参考库存:36048
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥427.0044
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参考库存:36038
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥597.1259
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参考库存:35998
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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250:¥768.40
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参考库存:35973
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥3,941.1236
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参考库存:35928
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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500:¥500.5335
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参考库存:35779
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥2,955.8088
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参考库存:35614
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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50:¥878.2021
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参考库存:35589
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,159.2105
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参考库存:35564
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,036.2665
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参考库存:35539
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥1,046.8659
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参考库存:35442
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt
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暂无价格
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参考库存:35355
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
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1:¥2,663.9637
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参考库存:7045
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥823.8039
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参考库存:35308
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥714.0696
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参考库存:35181
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射频放大器 GaN MMIC Power Amp 5.5-8.5GHz, 30 Watt
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暂无价格
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参考库存:35131
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥1,159.2105
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参考库存:34929
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50:¥4,926.3706
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参考库存:34889
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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250:¥823.8039
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参考库存:34629
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