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集成电路 - IC
DGD2012S8-13参考图片

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DGD2012S8-13

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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.8421
2921.05
1,000
¥4.6104
4610.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
门驱动器
产品
IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型
High Side, Low Side
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
激励器数量
2 Driver
输出端数量
2 Output
输出电流
20 mA
上升时间
40 ns
下降时间
20 ns
电源电压-最小
10 V
电源电压-最大
20 V
工作电源电流
120 uA
Pd-功率耗散
0.625 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
输出电压
20 V
技术
Si
商标
Diodes Incorporated
逻辑类型
CMOS, TTL
最大关闭延迟时间
270 ns
最大开启延迟时间
330 ns
产品类型
Gate Drivers
工厂包装数量
2500
子类别
PMIC - Power Management ICs
商品其它信息
优势价格,DGD2012S8-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥18.2156
25:¥16.2946
100:¥14.8256
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