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无线和射频半导体
CGHV50200F参考图片

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CGHV50200F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
17 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
4402015
封装
Tray
工作频率
4.4 GHz to 5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV50200F-AMP
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
40
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.4 V
商品其它信息
优势价格，CGHV50200F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
5082-3077
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 100MHz-3GHz 200V Ct=.3pF max
1:¥211.4682
5:¥194.1001
10:¥174.2008
25:¥154.2902
参考库存:3692
MML4401-GM3
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管 Fast SMT MRI Protect PIN Diode 10ns
1:¥42.8044
10:¥34.352
100:¥31.3462
250:¥28.2726
1,000:¥21.357
参考库存:17784
QPB9318SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.3-2.7GHz NF 1.3dB Gain 30.5dB
1:¥205.1628
25:¥157.1378
100:¥122.718
参考库存:4236
UM7108B
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥367.0692
5:¥347.1586
10:¥343.2488
25:¥317.4283
参考库存:3488
MAX2232EEE+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 900MHz ISM-Band 250mW Power Amp
1:¥38.4991
10:¥36.3408
25:¥29.041
50:¥27.5833
2,500:¥18.8258
参考库存:15890
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