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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频放大器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
安装风格	Screw
类型	Power Amplifier
技术	GaN SiC
工作频率	6 GHz
增益	26 dB
工作电源电压	30 V
工作电源电流	1.55 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Waffle
频率范围	2.5 GHz to 6 GHz
产品	GaN HEMT
商标	Qorvo
通道数量	1 Channel
开发套件	TGA2576-FS Eval Board
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	120 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	10
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名	1110951

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF8S7235NR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2	250:¥723.7537	参考库存:43790
RFFM8250QTR7	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 2.4GHz FEM AEC-Q100 WiFi 802.11a/n/ac BT	2,500:¥5.4579 5,000:¥4.5313 10,000:¥4.4522	参考库存:43795
2729GN-270	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor	5:¥4,459.7145	参考库存:43800
MASW-008075-TR3000	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC DC-3GHz IL: .5dB max -40C to +85C	102,000:¥0.9605	参考库存:43805
TQP887052	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5.15-5.85MHz FE for 802.11acn apps	2,500:¥14.5996 5,000:¥5.8647 10,000:¥5.4805	参考库存:43810