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无线和射频半导体
TGF2819-FS参考图片

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TGF2819-FS

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.9 V
Id-连续漏极电流
7.32 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
145 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
86 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
开发套件
TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1118705 772-TGF2819-FS-EVB1
商品其它信息
优势价格，TGF2819-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMZ09332BT1
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频放大器 MMZ09332B/HVQFN12///REEL 7
1:¥76.4558
10:¥68.3876
25:¥61.5511
50:¥58.6244
1,000:¥36.499
参考库存:7216
BFS17WH6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:74973
BAR151E6327HTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 100 V 140 mA
1:¥2.7685
10:¥2.1357
100:¥1.1639
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.75258
9,000:¥0.69947
参考库存:39755
PD20015-E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family
1:¥180.0316
5:¥178.1897
10:¥166.0535
25:¥158.5955
参考库存:6442
SMA3107-TL-E
ON Semiconductor
无线和射频半导体
射频放大器 DOUBLE BALANCED MIXER
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:41179
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