HMC363S8G详细参数_参考价格_HMC363S8G PDF资料_Analog Devices / Hittite

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	预定标器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	否
最大工作频率	12 GHz
最小工作频率	DC
分度	8
电源电压-最小	4.75 V
电源电压-最大	5.25 V
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
封装	Cut Tape
输出功率	-6 dBm
封装 / 箱体	SOIC-8
系列	HMC363G
技术	GaAs InGaP
商标	Analog Devices / Hittite
安装风格	SMD/SMT
工作电源电流	70 mA
工作电源电压	5 V
产品类型	Prescaler
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	540 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BGA725L6E6327FTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 RF SILICON MMIC	1:¥3.616 10:¥2.9945 100:¥1.8306 1,000:¥1.4125 15,000:¥1.06785	参考库存:310765
MKW40Z160VHT4	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU MKW40Z160VHT4/HVQFN48R///TRAY MULTIPLE DP BAKEABLE	1:¥41.0303 10:¥37.0414 25:¥33.2672 100:¥30.6569	参考库存:5197
CY22392FXI	Cypress Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL 3-PLL Clk Syn IND	1:¥127.4753 10:¥115.8702 25:¥107.1918 50:¥98.5134	参考库存:7059
MRFE6VP8600HSR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V	1:¥2,145.4519 5:¥2,097.5738 10:¥2,054.6225 25:¥2,024.3498 50:¥1,950.8094	参考库存:2866
MRFX035HR5	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX035H/CFM2F///REEL 13	1:¥379.2054 5:¥370.753 10:¥353.8482 25:¥339.0226 50:¥339.0226	参考库存:2923