HMC1121LP6GE详细参数_参考价格_HMC1121LP6GE PDF资料_Analog Devices

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	LFCSP-40
类型	Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	5.5 GHz to 8.5 GHz
P1dB - 压缩点	36 dBm
增益	28 dB
工作电源电压	7.5 V
测试频率	7.5 GHz to 8.5 GHz
OIP3 - 三阶截点	43 dBm
工作电源电流	2.2 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC1121
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices
通道数量	1 Channel
开发套件	EV1HMC1121LP6G
输入返回损失	15 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	20.5 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AFE7071IRGZT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频发射器 Intg NCO Dual 14b 65MSPS DAC RF IQ MOD	1:¥174.3477 5:¥167.127 10:¥160.8216 25:¥153.6009 250:¥131.0122	参考库存:3448
LMP91051MTX/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 Configurable AFE	1:¥29.8094 10:¥26.8149 100:¥21.8994 250:¥20.5886 2,500:¥14.9838	参考库存:20090
TGA2238-CP	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 TGA2238-CP 8-11 GHz 50W HPA - GaN25	1:¥7,169.172	参考库存:1097
NRF52832-QFAB-R7	Nordic Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF片上系统 - SoC Bluetooth 4.2 & 5 NFC tag QFN 48	暂无价格	参考库存:39727
HMC740ST89ETR	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 IF amp 15 dB Gain	1:¥83.2132 10:¥75.2241 25:¥71.6872 100:¥62.2404 500:¥54.2513	参考库存:3644