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无线和射频半导体

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CG2H80120D-GP4

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参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
晶体管极性
N-Channel
输出功率
120 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,CG2H80120D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 300-450 MHz ASK/FSK Transmitter
1:¥23.9786
10:¥22.826
25:¥18.7467
250:¥16.0573
参考库存:5612
无线和射频半导体
射频放大器 WBand lo Noise amp SMT w/AGC, 2 - 20 GHz
1:¥1,104.1908
5:¥1,088.5968
10:¥1,057.4766
25:¥1,003.0671
参考库存:5429
无线和射频半导体
射频检测器 RMS pow Detector SMT, DC - 3.9 GHz
1:¥76.9982
10:¥69.6193
25:¥66.3875
100:¥57.63
500:¥50.172
参考库存:5961
IDT
无线和射频半导体
射频混合器 RF to IF Dual Down Cnvtr Mix 9dB Gain
1:¥103.3498
10:¥93.903
25:¥86.9083
50:¥84.524
参考库存:7773
无线和射频半导体
射频放大器 28-38 GHz .4W GaN Amplifier
100:¥284.308
300:¥258.9508
参考库存:6355
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