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无线和射频半导体
CGHV60075D5参考图片

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CGHV60075D5

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
75 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
41.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
-
高度
100 um
长度
3000 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 10 V, + 2 V
零件号别名
CGHV60075D5-GP4
商品其它信息
优势价格，CGHV60075D5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MDS800
Microchip / Microsemi
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥4,819.8681
5:¥4,529.4129
参考库存:1754
ATA8202C-PXQW
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频接收器 Switchable Rx-IC For Ind 433MHz
1:¥38.3409
10:¥34.4989
25:¥31.2784
50:¥29.3574
参考库存:31434
HMC8142
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 81-86GHz 0.5W PA
25:¥1,015.1355
50:¥1,008.9092
参考库存:1836
BAP51-06W,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 50V 50mA Single
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:24053
QPD1014SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:2080
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