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无线和射频半导体
CGH35240F参考图片

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CGH35240F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11.6 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
240 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440201
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.76 mm
长度
24.33 mm
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
23.62 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGH35240F-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH35240F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGL2767-SM
Qorvo
无线和射频半导体
衰减器 2-31GHz Attn. 20dB IL <2dB
1:¥414.936
25:¥321.3494
100:¥248.9616
250:¥224.0677
参考库存:4126
EM3587-RTR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC ZigBee/802.15.4--512 kB flash+64 kB RAM
1:¥60.3985
10:¥57.0198
25:¥55.4039
50:¥53.7089
2,000:¥45.3356
参考库存:6088
RFPA5512TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.85GHzGain 33dB Pout 23dBm
1:¥23.5153
250:¥21.5943
500:¥18.8258
1,000:¥15.6731
2,500:¥12.5995
参考库存:15130
TGS2355-SM
Qorvo
无线和射频半导体
RF 开关 IC .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN
1:¥1,029.656
25:¥883.66
100:¥753.032
参考库存:4372
HMC985A
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
衰减器 衰减器
25:¥542.3322
100:¥511.5284
参考库存:3509
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