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无线和射频半导体
QPF4518MTR13参考图片

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QPF4518MTR13

  • Qorvo
  • 最新
  • 射频前端 5150-5925MHz NF 2dB Gain TX 32dB RX 16dB
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数量单价合计
1
¥34.578
34.578
250
¥31.7304
7932.6
500
¥27.6624
13831.2
750
¥27.6624
20746.8
2,250
¥23.052
51867
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频前端
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
类型
Wi-Fi
工作频率
5.15 GHz to 5.925 GHz
NF—噪声系数
2 dB
工作电源电压
5 V
工作电源电流
15 mA, 320 mA
最大工作温度
+ 85 C
最大数据速率
6 Mb/s
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-24
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
带宽
160 MHz
系列
QPF4518M
商标
Qorvo
增益
16 dB, 32 dB
开发套件
QPF4518MPCK401
最小工作温度
- 40 C
湿度敏感性
Yes
P1dB - 压缩点
- 7 dBm, 28 dBm, 32 dBm
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
750
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
零件号别名
QPF4518M
商品其它信息
优势价格,QPF4518MTR13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 3.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1,000:¥71.4612
参考库存:37154
无线和射频半导体
调谐器 1002MHz 7.5dB 3.3V
4,000:¥10.9836
8,000:¥10.2943
参考库存:37159
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF NPN Transistor
2,500:¥10.2152
5,000:¥9.831
参考库存:37164
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥2,955.8088
参考库存:37169
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V- 1GHz SE
50:¥416.9361
参考库存:37174
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