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无线和射频半导体
CGHV1F025S参考图片

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CGHV1F025S

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
4 mm
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGHV1F025S-TB
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV1F025S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC Switch SPDT 27dBm Term
1:¥102.9656
10:¥94.6714
25:¥90.7503
100:¥79.9136
参考库存:7643
无线和射频半导体
射频放大器 BDS/GPS/GNSS Gain 19dB Typ.
1:¥6.4523
10:¥5.2206
100:¥4.0002
500:¥3.5369
3,000:¥2.486
参考库存:37120
无线和射频半导体
射频放大器 Dual RF Power Amplifier Linearizer
1:¥552.7056
5:¥530.6593
参考库存:3087
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC QFN48 Sub-GHz 256 kB flash 32 kB RAM 32 GPIO
1:¥44.3412
10:¥41.8778
25:¥40.6461
50:¥39.4144
参考库存:23444
无线和射频半导体
射频放大器 758-803MHz Gain 37dB
1:¥91.1345
10:¥82.4448
25:¥75.9134
50:¥71.6194
2,500:¥52.7145
参考库存:3961
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