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无线和射频半导体
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D1211UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-500MHz SE
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数量单价合计
100
¥171.8956
17189.56
250
¥171.1272
42781.8
500
¥170.743
85371.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1211UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V Nine Output Zero Delay Buffer
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
参考库存:16265
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 30V 100MA
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.791
参考库存:21042
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL/VCO MCM (8.45 - 9.55 GHz)
1:¥500.3075
5:¥492.3862
10:¥475.2554
25:¥459.6614
参考库存:4164
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:5436
无线和射频半导体
射频放大器 1.6-2.2GHz NF .65dB Gain 17.3dB
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
100:¥22.3627
3,000:¥13.8312
参考库存:4178
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