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无线和射频半导体
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2N5952

  • Central Semiconductor
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NPN RF Amp Engineering Hold
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数量单价合计
2,000
¥3.6838
7367.6
10,000
¥3.5369
35369
24,000
¥3.4352
82444.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
否
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
30 V
最大漏极/栅极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
封装
Bulk
配置
Single
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
RF JFET
系列
2N5952
类型
JFET
宽度
4.19 mm
商标
Central Semiconductor
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5952 BK
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，2N5952的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4063-C2A-GM
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频发射器 TX SubG +20dBm
1:¥16.4415
10:¥15.9782
25:¥15.8313
50:¥15.4471
参考库存:3600
BFP 840ESD H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:12862
EFR32MG1B232F256GM32-C0R
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, 19.5 dBm, QFN-32, mesh
1:¥46.33
10:¥43.7197
25:¥42.4202
50:¥41.1885
2,500:¥34.7362
参考库存:31872
A3T23H300W23SR6
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥737.664
5:¥724.1379
10:¥691.56
25:¥668.508
100:¥622.4831
150:¥570.3788
参考库存:2899
HMC374
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs pHEMT MMIC lo Noise amp, 0.3-3GHz
1:¥69.4611
10:¥62.4664
25:¥58.7826
50:¥55.2457
参考库存:2201
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