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无线和射频半导体
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D1003UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-28V-175HMz SE
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数量单价合计
50
¥479.5607
23978.035
100
¥466.3397
46633.97
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
15 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
16 dB
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DA
配置
Single
高度
6.6 mm
长度
24.76 mm
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
12.7 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1003UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
1:¥1,139.6954
10:¥1,004.1406
25:¥893.265
50:¥800.831
参考库存:30718
无线和射频半导体
PIN 二极管
1:¥243.0404
5:¥232.1359
10:¥224.8361
25:¥206.6205
参考库存:30723
无线和射频半导体
PIN 二极管 HERMETIC SEALED, DO-37, 2 PIN
1:¥3,201.6968
2:¥2,955.4246
5:¥2,649.6692
10:¥2,364.3668
参考库存:30728
无线和射频半导体
射频收发器 RFID Xcvr
1:¥32.1937
10:¥28.9732
100:¥23.6622
250:¥22.2045
500:¥20.2044
参考库存:30733
无线和射频半导体
射频前端 5GHz 21dBm, 5V 11ac FEM
1:¥23.3571
10:¥20.9728
25:¥18.984
50:¥17.9783
3,000:¥11.6051
参考库存:30738
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