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无线和射频半导体
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GTVA263202FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
50
¥1,866.1385
93306.925
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
配置
Dual Common Source
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,GTVA263202FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:33575
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥599.352
10:¥499.46
25:¥449.514
50:¥399.568
参考库存:4362
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-2.5GHz ISO 25dB IL .5dB
1:¥20.5886
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
3,000:¥8.7575
参考库存:22254
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 SS VHF XSTR SPCL TR
1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
3,000:¥0.85315
9,000:¥0.79891
参考库存:32576
无线和射频半导体
射频前端 Ultrasound Config Transmit Beamformer
1:¥111.3389
10:¥102.3554
25:¥97.0444
100:¥86.445
250:¥82.2188
参考库存:4633
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