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无线和射频半导体
PD57006TR-E参考图片

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PD57006TR-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
600
¥85.9026
51541.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
15 dB
输出功率
6 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57006-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57006TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 Fixed Passive SMT atten, DC - 25 GHz
1:¥51.0195
10:¥46.104
25:¥43.957
100:¥38.194
500:¥33.2672
参考库存:4441
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:30808
无线和射频半导体
射频放大器 2.4GHz P1dB 32dBm 5.0Volt 802.11bgn
1:¥12.8368
10:¥10.3734
100:¥9.2999
250:¥8.2942
3,000:¥5.3562
参考库存:17450
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.4747
100:¥1.3447
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
9,000:¥0.81473
参考库存:42392
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz ORL 17dB In Return Loss 45dB
1:¥714.0696
参考库存:3619
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