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无线和射频半导体
MRF6V2150NBR1参考图片

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MRF6V2150NBR1

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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库存:34,027(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥364.0634
182031.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
25 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single Dual Drain Dual Gate
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
220 MHz
系列
MRF6V2150N
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.62 V
零件号别名
935316841528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,MRF6V2150NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 7 KB Flash 256 bytes RAM 315-915MHz
1:¥13.2888
10:¥13.0628
25:¥12.0684
100:¥10.9836
参考库存:6626
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ64K SOC Ind85C AVRZLINKMCU 8BIT
1:¥44.4881
10:¥43.8779
25:¥40.6461
参考库存:4433
无线和射频半导体
射频接收器 300MHz to 450MHz, 3.0V to 3.6V, 6mA, <10kbps ASK Receiver with RSSI and Shutdown
1:¥15.5262
10:¥15.2889
25:¥14.2945
100:¥12.8368
2,500:¥12.8368
参考库存:15355
无线和射频半导体
射频放大器 BGU8010/XSON6///REEL 7 Q1 NDP
1:¥6.2263
10:¥5.5031
25:¥4.972
100:¥4.3505
5,000:¥2.147
参考库存:27877
无线和射频半导体
射频放大器 900MHz SiGe High Variable IP3
1:¥34.9622
10:¥33.0412
25:¥26.4307
50:¥25.1312
2,500:¥17.1308
参考库存:12364
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