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无线和射频半导体
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D1212UK

  • Semelab / TT Electronics
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
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数量单价合计
50
¥1,171.9682
58598.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DH
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D1212UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 LNA, HIP3, 6-17GHz
1:¥273.4713
5:¥258.4875
10:¥252.2612
25:¥226.7571
参考库存:5618
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101AN/SIL3///TUBE NDP SMALL
1:¥168.0536
5:¥165.432
10:¥154.9908
25:¥139.3064
参考库存:5140
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 22dB IL <.3dB @ 2.4GHz
1:¥4.7686
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3843
3,000:¥1.5594
参考库存:557892
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 433 868 915 MHz ULP Wireless MCU
1:¥41.1885
10:¥37.0414
100:¥30.2727
250:¥28.4308
3,000:¥20.6677
参考库存:74734
无线和射频半导体
射频混合器 3GHz to 20GHz Microwave Mixer with DC to 6GHz IF
1:¥338.2542
25:¥270.5559
100:¥220.4517
250:¥215.4571
500:¥201.1626
参考库存:5586
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