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无线和射频半导体
TGF2978-SM参考图片

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TGF2978-SM

  • Qorvo
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
输出功率
19 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
33 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2978-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
零件号别名
1127373
单位重量
123 mg
商品其它信息
优势价格,TGF2978-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
上下转换器 37-40GHz I/Q Upconverter
1:¥458.1924
5:¥444.3612
10:¥430.4622
25:¥416.5519
参考库存:1223
无线和射频半导体
衰减器 DATT, 0.5 dB LSB 6 Bit (Hitt Controller)
1:¥67.8452
10:¥61.3138
50:¥58.4775
100:¥50.7935
参考库存:1705
无线和射频半导体
射频前端 RF Front-End Transmit Power Amp
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
250:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:3112
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC wideband amp amplifier
1:¥2.9945
10:¥2.1583
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.65314
参考库存:39949
无线和射频半导体
射频放大器 C-Band PA
1:¥487.0865
5:¥472.4078
10:¥457.5822
25:¥442.8244
参考库存:1251
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