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无线和射频半导体
CG2H30070F参考图片

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CG2H30070F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
70 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440224
封装
Tray
工作频率
0.5 GHz to 3 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CG2H30070F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CG2H30070F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V Nine Output Zero Delay Buffer
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
2,500:¥3.5821
参考库存:16265
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 30V 100MA
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.791
参考库存:21042
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL/VCO MCM (8.45 - 9.55 GHz)
1:¥500.3075
5:¥492.3862
10:¥475.2554
25:¥459.6614
参考库存:4164
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
1:¥159.7481
10:¥146.9226
25:¥140.3912
100:¥124.0966
500:¥107.1918
参考库存:5436
无线和射频半导体
射频放大器 1.6-2.2GHz NF .65dB Gain 17.3dB
1:¥30.51
10:¥27.2782
25:¥24.5888
100:¥22.3627
3,000:¥13.8312
参考库存:4178
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