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无线和射频半导体
PTFB201402FC-V2-R250参考图片

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PTFB201402FC-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥548.8636
137215.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
增益
16 dB
输出功率
140 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2010 MHz to 2025 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB201402FC-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPF4206BTR13-5K
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz Wi-Fi Front End Module 11ax
1:¥17.8992
250:¥17.1308
500:¥14.9047
5,000:¥8.0682
10,000:¥6.2263
参考库存:26819
PXV1220S-7DBN2-T02
Susumu
无线和射频半导体
衰减器 7.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1:¥190.2581
10:¥163.3641
25:¥147.1486
100:¥128.4019
200:¥112.7966
参考库存:2046
BGU7032,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 1CH 4.5dB 5V 43mA
1:¥4.3844
10:¥3.4804
100:¥2.3617
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5707
参考库存:16823
RFPA5542TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 5GHz Gain 33dB Pout 23dBm
1:¥27.1991
250:¥24.973
500:¥21.8203
1,000:¥18.1365
2,500:¥14.5205
参考库存:26770
MCP2030-I/P
Microchip Technology
无线和射频半导体
射频前端 Keyless Entry AFE
1:¥19.1309
10:¥18.8258
25:¥15.9782
100:¥14.5205
参考库存:2752
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