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无线和射频半导体
ATSAMR35J17BT-I/7JX参考图片

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ATSAMR35J17BT-I/7JX

  • Microchip Technology
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  • RF片上系统 - SoC MCU with LoRA Transceiver
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库存:43,655(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥36.8041
110412.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
RF片上系统 - SoC
RoHS
类型
Wi-Fi
核心
ARM Cortex M0+
工作频率
868 MHz
最大数据速率
12 Mb/s
输出功率
20 dBm
灵敏度
- 136 dBm
工作电源电压
1.8 V to 3.63 V
接收供电电流
17 mA
程序存储器大小
128 kB
封装 / 箱体
TFBGA-64
封装
Reel
程序存储器类型
Flash
系列
ATSAMR35
商标
Microchip Technology
数据 RAM 大小
8 kB, 16 kB
数据 Ram 类型
SRAM
接口类型
I2C, SPI, UART
安装风格
SMD/SMT
输入/输出端数量
27 I/O
ADC分辨率
12 bit
数据总线宽度
32 bit
最大时钟频率
48 MHz
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
ADC通道数量
8 Channel
定时器数量
3 Timer
产品类型
RF System on a Chip - SoC
工厂包装数量
3000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,ATSAMR35J17BT-I/7JX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
数字电位计 IC Digital Sextet Potentiometer
1:¥34.804
25:¥33.1994
50:¥30.6569
1,000:¥29.8094
参考库存:32108
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz
暂无价格
参考库存:22108
无线和射频半导体
射频放大器 32-38GHz 3 Watt Gain 19dB
暂无价格
参考库存:22113
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
暂无价格
参考库存:22118
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 Chip, DC - 13 GHz
暂无价格
参考库存:22123
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