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无线和射频半导体
A2V09H400-04NR3参考图片

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A2V09H400-04NR3

  • NXP / Freescale
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
250
¥782.0052
195501.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.9 dB
输出功率
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935337372528
单位重量
3.074 g
商品其它信息
优势价格，A2V09H400-04NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC633LC4
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 SMT Driver amp, 5.5 - 17 GHz
1:¥482.397
5:¥467.7974
10:¥453.1978
25:¥438.5982
参考库存:2568
STAC4933
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无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 100MHz FET
1:¥848.3136
5:¥832.7196
10:¥795.2149
25:¥768.7051
参考库存:2535
HMC962LC4TR
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 7.5 - 26.5 GHz
1:¥397.4888
5:¥386.2792
10:¥370.9112
25:¥344.2432
100:¥322.0387
参考库存:2347
HMC3587LP3BE
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 amp, 4 - 10 GHz Gain Block
1:¥180.348
5:¥170.5057
10:¥166.3586
25:¥149.5329
参考库存:2624
V680S-A40 20M
Omron Automation and Safety
无线和射频半导体
RFID应答器 Extension Cable 20m
1:¥3,010.9754
参考库存:2331
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